Stikalni napajalniki črpajo shranjevanje energije iz izhodnih kondenzatorjev
Na diagramu razmerja naboja napetosti je kondenzator predstavljen z diagonalno črto, energija, shranjena v kondenzatorju, pa je območje pod to črto. Čeprav je izhodna kapacitivnost močnostnih MOSFET-jev nelinearna in se spreminja glede na spremembe v napetosti odvodnega vira, je shranjevanje energije v izhodni kapacitivnosti še vedno območje, ki ga nelinearna kapacitivnost zajema brez povezave. Torej, če lahko najdemo ravno črto, ki daje isto površino kot krivulja izhodne kapacitivnosti, prikazana na sliki 1, potem je naklon črte natanko enaka izhodni kapacitivnosti, ki proizvede enako shranjevanje energije.
Za nekatere staromodne MOSFET-je s planarno tehnologijo lahko načrtovalci uporabijo prilagajanje krivulje, da poiščejo ekvivalentno izhodno kapacitivnost na podlagi vrednosti izhodne kapacitivnosti v podatkovni tabeli pri tipično navedeni 25 V odvodni izvorni napetosti.
Slika 2 prikazuje izmerjene vrednosti izhodne kapacitivnosti in prilagojeno krivuljo, dobljeno s formulo (3). V primerjavi s staromodno-tehnologijo MOSFET, prikazano na sliki 2 (a), je njegova zmogljivost dobra. Vendar pa za MOSFET-je z bolj nelinearnimi izhodnimi kapacitivnimi značilnostmi, ki uporabljajo nove tehnologije, kot je tehnologija super spojišča, preprosto prilagajanje eksponentne krivulje včasih ni dovolj dobro. Slika 2 (b) prikazuje izmerjeno izhodno kapacitivnost MOSFET nove tehnologije in prilagojeno krivuljo, dobljeno z uporabo formule (3). Za ekvivalentno vrednost izhodne kapacitivnosti lahko vrzel med obema v območju visoke napetosti povzroči veliko razliko, ker se v integracijski formuli napetost pomnoži s kapacitivnostjo. Ocena na sliki 2 (b) bo povzročila veliko večjo ekvivalentno kapacitivnost, kar lahko zavede prvotno zasnovo pretvornika.
Če se vrednost izhodne kapacitivnosti spreminja glede na napetost vira odtoka, lahko shranjeno energijo v izhodni kapacitivnosti izračunate s formulo (4). Čeprav je krivulja kapacitivnosti prikazana v podatkovni tabeli, vrednosti kapacitivnosti ni lahko prebrati iz grafikona. Zato je na podlagi napetosti odvodnega vira shranjena energija v izhodnem kondenzatorju podana z diagramom v * novi podatkovni tabeli MOSFET moči. Z uporabo krivulje, prikazane na sliki 3, in formule (5) je mogoče dobiti ekvivalentno izhodno kapacitivnost pri želeni enosmerni (DC) napetosti vodila.
