Infrardeča mikroskopija v elektronski industriji pri uporabi majhnih naprav
I. Smer uporabe: infrardeča mikroskopija pri temperaturnem testiranju drobnih polprevodniških naprav
II. Ozadje Uvod:
Z razvojem nanotehnologije se na področju polprevodniške tehnologije vse bolj uporablja njena miniaturizacija od zgoraj navzdol. V preteklosti smo tehnologijo IC imenovali tehnologija "mikroelektronika", to je zato, ker je velikost tranzistorjev v merilu mikronov (10-6 metrov). Vendar pa polprevodniška tehnologija napreduje tako hitro, da vsaki dve leti napreduje za eno generacijo in se skrči na polovico svoje prvotne velikosti, kar je znano kot Moorov zakon. Pred približno 15 leti so polprevodniki začeli vstopati v submikronsko ali manj kot mikronsko obdobje, ki mu je sledilo globoko submikronsko ali veliko manjše od mikrona obdobje. Do leta 2001 so bili tranzistorji celo manjši od 0,1 mikrona ali manj kot 100 nanometrov. Zato je obdobje nanoelektronike in večina prihodnjih IC bo narejena z nanotehnologijo.
Tretjič, tehnične zahteve:
Trenutno je glavna oblika okvare elektronskih naprav toplotna okvara. Po statističnih podatkih 55 % okvar elektronskih naprav povzroči temperatura, ki presega določeno vrednost, z naraščanjem temperature pa stopnja okvar elektronskih naprav eksponentno narašča. Na splošno je delovna zanesljivost elektronskih komponent izjemno občutljiva na temperaturo, temperatura naprave na ravni 70-80 stopinje z vsako stopnjo povečanja 1 stopinje, bo zanesljivost padla za 5%. Zato obstaja potreba po hitrem in zanesljivem zaznavanju temperature naprav. Ker je velikost polprevodniških naprav vedno manjša, temperaturna ločljivost in prostorska ločljivost opreme za zaznavanje postavljata višje zahteve.
Četrtič, toplotni zemljevid mesta snemanja (lokacija: znani raziskovalni inštituti Model: INNOMETE SI330)
